1. 一(yī)種雙界面智能(néng)卡制(zhì)造方法，其中所述單界λ$↑面/雙界面智能(néng)卡包括卡基、IC 芯片（8）和(hé)天線（13↓×），其特征在于，所述方法包括 ：

（1）在天線層（1）的(de)背面（1b）上(shàng)埋置天線（1♦×→3），而且天線（13）在孤塊區(qū)域（11）內(nèi)蛇形埋置，↓↕ 其中孤塊區(qū)域（11）是(shì)對(duì)應并且小(xiǎ₹"o)于所述單界面/雙界面智能(néng)卡上(shàng)的(de) IC 芯γβ片（8）的(de)區(qū)域 ；

（2）在天線層（1）的(de)背面（1b）的(d→"  e)孤塊區(qū)域（11）上(shàng)覆蓋隔離(lí)膜（14），✘©✘γ然後将背面保護層（4）結合在天線層（1）的(de)背面（1b），☆≠♦♦以形成卡基，其中所述隔離(lí)膜（14）能(néng)防止孤塊區(qū)域（♣↑11）與背面保護層（4）的(de)相(xi≠"γ<àng)應部分(fēn)結合 ；

（3）在卡基上(shàng)銑槽，以銑出一(yī)凹§¥★槽（21）和(hé)第三凹槽（24），其中，所述§÷一(yī)凹槽（21）為(wèi)不(bù)帶有(yǒu)間(jiānπφ)斷的(de)環形凹槽，深度等于或略大(dà)于 IC 芯片（8π≤®）的(de)厚度但(dàn)不(bù)深及天線層∏♥©（1）的(de)背面（1b），外(wài)沿能(néng)容納（選是(λ←✔shì)契合）IC 芯片（8）的(de)外(wài)沿，內(nèi)沿是¶×λ(shì)第三凹槽（24）的(de)外(wài)≥γ₩沿 ；所述第三凹槽（24）為(wèi)有(yǒu)間(jiān)斷的✘€≥ (de)環形凹槽，深度深及天線層（1）的(de)背面（1b），內(n®♦èi)沿是(shì)孤塊區(qū)域（11）外(wài)沿，♥♠≈∑其中所述間(jiān)斷使得(de)所述單界面÷₹γ/雙界面智能(néng)卡的(de)連接 I§$✘C 芯片（8）天線（13）不(bù)被銑斷 ；

（4）提升（選用(yòng)夾具提升）孤塊區(qū)域（11）使之與卡基↑©脫離(lí)，同時(shí)使得(de)®₽孤塊區(qū)域（11）中蛇形埋置的(de)天線被牽引出适合 ×✔與 IC 芯片（8）進行(xíng)電(d↔←iàn)連接的(de)長(cháng)度 ；和(hé∏ ♣ )，

（5）将 IC 芯片（8）與牽引出的(de)天¥↔線電(diàn)連接，并與孤塊區(qū)域（11）脫離(lí)γ<，然後将 IC 芯片（8）固定入一(yī)凹槽（21）的(de)✘‌÷外(wài)沿所圍成的(de)區(qū)域，從(cóng)而使得(de) I♠Ω≥C 芯片（8）、一(yī)凹槽（21）內(nèi)沿與背面保護層（4）之間(j★★iān)具有(yǒu)容納空(kōng)隙（240）。

2. 權利要(yào)求 1 所述的(de)制(zh±&πì)造方法，其特征在于，

在步驟（1）中，在天線層（1）的(de)背面（1b）Ωλ∏上(shàng)，從(cóng)孤塊區(qū)域（11）之外(wài)的(dα×σ±e)位置（13e）開(kāi)始向孤塊區(qū)域（11）內(nèi)的σ​(de)一(yī)側位置（13a）蛇形埋置天線 α，經位于孤塊區(qū)域（11）之外(wài)的(de)位置（13e）對βα♥ (duì)側的(de)孤塊區(qū)域（11≠<）的(de)邊沿位置（13c）埋置到(dào)孤©♠塊區(qū)域（11）以外(wài)并繼續在天線層（1）的(d <e)背面（1b）上(shàng)埋置一(yī)圈或多(duō&∏ ₽)圈，直至從(cóng)位于孤塊區(qū)域（11）之外(wài)的 α'(de)位置（13e）對(duì)側的(de)孤塊區₽ (qū)域 （11）的(de)邊沿位置（13d）埋置∑∏↔✘進入孤塊區(qū)域（11）內(nèi)并埋置到(dào)與孤↑÷↔塊區(qū)域（11 2. 權利要(yào)求€✔↓ 1 所述的(de)制(zhì)造方法，其特征在于，）內(n§≈èi)的(de)一(yī)側位置（13a）相(xià ↓‌♦ng)對(duì)的(de)另一(yī)側位置（13b）× ，然後在孤塊區(qū)域 11 內(nèi)σ♠λ♣蛇形埋置天線，向孤塊區(qū)域（11）之外(wài)的(de)位置（13e）∑§♠±延伸并終止埋置，其中兩個(gè)所述的(de)邊沿位置∑ （13c 和(hé) 13d）是(shì)$>不(bù)同的(de)位置 ； 和(hé) / 或，

在步驟（2）中，所述結合是(shì)通(tōng)過★★層壓和(hé) / 或沖壓進行(xíng)的(de)結合 ；和(☆‍↔÷hé) / 或，在步驟（2）中，在天線層（1）正面（1a）依±$次結合正面防護膜（3）和(hé)正面保護層（2），并在天線層（1）背面（β∞☆1b）依次結合背面保護層（4）和(hé)背面防護膜（5），選所述背×&∞★面防護膜（5）帶有(yǒu)磁條 ；和(hé) /或©'，

在步驟（3）中，一(yī)凹槽（21）的(de)₩→φφ底面上(shàng)有(yǒu)進一(yī)步向下(xià)銑出耳形凹槽（2• 3），其中所述耳形凹槽（23）的(de)深✘↔₽度不(bù)深及天線層（1）的(de)背面（1b）；和(πδΩ€hé) / 或，所述間(jiān)斷形成天線層（1）其餘部分(fē£σφn)連接孤塊區(qū)域（11）的(de♦‍→)搭接部（25）；和(hé) / 或

在步驟（4）中，所述長(cháng)度是(sh​σ←σì)适合與 IC 芯片（8）進行(xíng)貼合并電(di×↕₹αàn)連接（如(rú)焊接）的(de)長(cháng)度 ；和(∑€hé) / 或，

在步驟（5）中，将 IC 芯片（8）貼合到(dào)牽引出$¥ 的(de)天線上(shàng)進行(xíng)電(diàn)連€>π接（如(rú)焊接）；和(hé) / 或，所述與孤塊區(qū)域（11）脫離(∑>✘∏lí)是(shì)剪斷電(diàn)連接點（如(¶₽rú)焊點）與孤塊區(qū)域（11）之間(jiān)的(de™€λ₩)天線 ；和(hé) / 或，所述固定是(shì)是(shì)用(↕δyòng)膠固定，如(rú)用(yòng)滴膠工(gōng)↕ 藝将 IC 芯片（8）通(tōng)過耳形凹槽（23）固定，$÷♥§或用(yòng)背膠工(gōng)藝将 IC 芯片（8）固定于一(y∞&≠ī)凹槽（21）的(de)底面上(shàng↓≈™£)。

3.權利要(yào)求2所述的(de)制(zhì)造方∞↕​♥法，其特征在于，在步驟（2）中，依次銑出一(yī)凹槽（21）♠ ↓‌、第二凹槽（22）和(hé)第三凹槽（24），其中™¥≥♦所述第二凹槽（22）是(shì)帶有(yǒu)或不‌<↕©(bù)帶有(yǒu)間(jiān)斷的(de)環Ω↑形凹槽，深度是(shì)耳形凹槽（23）的(de)深度，內(π∞nèi)沿是(shì)孤塊區(qū)域（11）的(de✘λ↓)外(wài)沿，外(wài)沿由第三凹槽（24）的(de)外(wài)¥★§沿和(hé)耳形凹槽（23）的(de)外(wàφ​βi)沿構成。

4. 權利要(yào)求 2 所述的(d®≈Ωe)制(zhì)造方法，其特征在于，孤塊區(qū)域（11）之₹ ÷±外(wài)的(de)位置（13e）位于對(d☆$uì)應所述第三凹槽（24）的(de)外(wài)沿所圍繞的(de)區(qū©☆λ)域之內(nèi)。

5. 權利要(yào)求 2 所述的(de)制(zhìβ¥☆✔)造方法，其特征在于，孤塊區(qū)域（11）• ♦₹之外(wài)的(de)位置（13e）位于♥★‌對(duì)應所述第三凹槽（24）的(de)外(wài)沿所圍繞的(ε≤∞•de)區(qū)域或之外(wài)。

6. 權利要(yào)求 2 或 3 所述的(de)制(z♥σhì)造方法，其特征在于，在步驟（3）中設置檢測步δ¥驟，以是(shì)否可(kě)見(jiàn)或可(kě)探測到(dào)孤塊↔σ₹¶區(qū)域（11）之外(wài)的(de)位置（13e）上(shàng)的∑∞" (de)天線或孤塊區(qū)域（11）之外(wài)的(&$¥<de)位置（13e）連接孤塊區(qū)域（1™<$1）之間(jiān)的(de)天線被銑掉以評價銑槽（是(shì)第二凹槽€✔↕（22）或第三凹槽（24））的(de)質量。

7. 前述任一(yī)項權利要(yào)求 1 或 ©≈↓2 所述的(de)制(zhì)造方法，其特征在于，在埋置天♣§線前，在所述間(jiān)斷或搭接部（25）對(duì)應的λ"(de)天線層（1）的(de)背面（1b）上(s≠♥♠αhàng)開(kāi)縫，以使得(de)所述間(≠ ♣jiān)斷或搭接部（25）處連接得(de)不(bù)★↑牢固。

8.前述任一(yī)項權利要(yào)求1或2所述的‌ (de)制(zhì)造方法，其特征在于，所述制(zhì)造方法是(shì♥♣)通(tōng)過自(zì)動化(huà)設備（選包括單界面/雙界面$Ω¥ 智能(néng)卡傳統工(gōng)藝設備（自(zì)動埋線←'σ¥設備和(hé)自(zì)動銑槽設備）以及自(zì)動₩¶×提升和(hé)自(zì)動焊接設備）完成的(de¥§™±)。

9.權利要(yào)求1-8之任一(yī)所述的(de)制(φ≠zhì)造方法制(zhì)成的(de)單界面/雙界面智能(néng)卡， ♦♥其包括卡基、IC 芯片（8）和(hé)天線（13），其特征在§₩于，卡基由五層層壓構成，這(zhè)五層從(cóng)‍β正面到(dào)背面依次為(wèi)正面防護膜（2）、正面保護層（3）、天線層§©‌∞（1）、背面防護層（4）以及背面防護膜（5）；卡基正面開(kāi)有(™π←yǒu)外(wài)沿能(néng)容納（選是(shìπ←£)契合）IC 芯片（8）的(de)凹槽，凹槽外(wài)沿內(nèi) ¥>環繞一(yī)凹槽（21），用(yòng)于φφ支撐 IC 芯片（8）；一(yī)凹槽（21）深度等于‌ ε" IC 芯片（8）的(de)厚度，但(dàn)是(shì)并不(bù)深及天→ ¥線層（1）的(de)背面（1b）；一(yī)凹槽（2 ∞©1）上(shàng)帶有(yǒu)比一(yī)凹槽（21）底部更深但(dγ→→€àn)并不(bù)深及天線層（1）的(de)背面（1b）的(de)耳λ→>形凹槽（23），其中滴膠用(yòng)于固↕σβ‌定 IC 芯片（8）；一(yī)凹槽（21）內(nε÷₩£èi)沿環繞的(de)部分(fēn)是(shì)深及天線層（1）的(π&→ de)背面（1b）的(de)容納空(kōn™αg)隙（240），用(yòng)以在其中容納提供拉±€伸冗餘的(de)天線部分(fēn) ；天線（13<"）設置于天線層（1）的(de)背面（1b）；天線（13）的(de§<φ)兩端從(cóng)容納空(kōng)隙（240）底部一(yī)£↑& 側的(de)兩個(gè)位置（13c 和(hé)1→₽¥♦3d）進入容納空(kōng)隙（240），并與 IC 芯片（8）電(diàn$®₽γ)連接 ；以及，在位置（13e）上(shàng)具有£↔÷₹(yǒu)不(bù)電(diàn)連通(tōng)的(>✘de)天線殘留，其中所述位置（13e）位于天線層（1）的(de)背面♠ αΩ（1b），而且不(bù)位于前述兩個(gè)位 →置（13c 和(hé) 13d）所處容納σ★空(kōng)隙（240）的(de)同一(yī)側，選位于前述兩©€‌₩個(gè)位置（13c 和(hé) 13d）所處容納空(kōng)隙 γφ™（240）的(de)對(duì)側之外(wài)。

10. 位置（13e）上(shàng)的(de)天線殘留在單界面/雙界面智能(♦ ♠néng)卡制(zhì)造方法（選是(shì)'λ≠權利要(yào)求 1-8之任一(yī)所述'↓的(de)制(zhì)造方法）中進行(xíng)定λ↕ ©位的(de)應用(yòng)或在單界面/雙界面智能(nén↕‌g)卡（選是(shì)權利要(yào)求↑•ε→1- 8之任一(yī)所述的(de)制(zhì)∏£•造方法制(zhì)成的(de)單界面/雙界面智能(néng)卡£®，如(rú)權利要(yào)求9所述的(de)單界面/雙界面智能(néng)φΩ‌卡）中進行(xíng)防拆解或防僞的(de)應用(yòng)，其中所述位置（1 γ3e）位于天線層（1）的(de)背面（1b）而且位于孤塊區±"(qū)域（11）之外(wài)或容納空(kōng)隙（240）<♣之外(wài)。

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